High Power Komplettsystem

Dieses Messsystem bietet eine Komplettlösung zur Charakterisierung von 2- und 3-poligen Leistungsbauelementen als Feldeffekttransistoren (FETs), BJT-Transistoren (Bipolar Junction), Dioden, Kondensatoren bis zu 3 kV und 100 A.

Durch das einmalige Kontaktieren des Prüflings können alle relevanten Parameter von Off-State und On-State sowie charakteristische Kapazitäten (Ciss, Coss Crss) gemessen werden. Die IV-Charakterisierung kann sowohl gepulst als auch im DC-Modus erfolgen. Das System arbeitet somit auf Wafer-Level und kann auch für verkappte Bauelemente genutzt werden.